電阻測量儀EC-80P在多晶硅納米薄膜檢測中的運用

不同摻雜濃度的多晶硅納米薄膜,研究了摻雜濃度對多晶硅納米薄膜壓阻和電學修正特性的影響。利用低壓化學氣相淀積法制備了不同摻雜濃度的多晶硅納米薄膜,摻雜濃度分別為1.0×1020 cm-3、2.0×1020 cm-3、4.1×1020 cm-3和7.1×1020 cm-3。利用應變系數(shù)測量裝置對不同摻雜濃度多晶硅納米薄膜的應變系數(shù)進行了測量;利用恒流源和萬用表測量不同摻雜濃度多晶硅納米薄膜的電學修正特性。實驗結果表明:多晶硅納米薄膜的應變系數(shù)與摻雜濃度有關,應變系數(shù)范圍:33.38～38.41;利用電學方法能夠修正多晶硅納米薄膜的電阻,最大修正范圍可達15.4%。多晶硅納米薄膜具有較高的應變系數(shù),適用于制作壓阻式傳感器;電學修正可用來調(diào)整多晶硅納米薄膜的電阻,進而降低傳感器的失調(diào)。 

日本napson便攜式導電薄膜無損（渦流法）電阻測量儀EC-80P

產(chǎn)品特點